Diferencia entre revisiones de «FET»
Contenido eliminado Contenido añadido
Páhina nueva: El '''transistol d'efeutu camp''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en ingrès) es en realidá una família de transistoris que se basan en el campu elètricu... |
Sin resumen de edición |
||
| Línia 1: | Línia 1: | ||
El '''transistol d'efeutu |
El '''transistol d'efeutu campu''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en ingrès) es en realidá una família de [[transistol|transistoris]] que se basan en el [[campu elètricu]] pa controlal la conductividá dun "canal" nun material [[semiconductol]]. Los FET, cumu tos los transistoris, puein plantealse cumu [[Resistència elètrica]]s controlás pol [[voltahi]]. La mayoria delos FET estan hechus usandu las tècnicas de procesamientu de semiconductoris habitualis. |
||
==Tipus de transistoris d'efectu campu== |
==Tipus de transistoris d'efectu campu== |
||
Revisión de 18:01 26 Nov 2008
El transistol d'efeutu campu (Field-Effect Transistor o FET, en ingrès) es en realidá una família de transistoris que se basan en el campu elètricu pa controlal la conductividá dun "canal" nun material semiconductol. Los FET, cumu tos los transistoris, puein plantealse cumu Resistència elètricas controlás pol voltahi. La mayoria delos FET estan hechus usandu las tècnicas de procesamientu de semiconductoris habitualis.
Tipus de transistoris d'efectu campu
- El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa una uñon (normalment SiO2).
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una uñón p-n.
- El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky
- En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tamién hucheau HFET (heterostructura FET), la banda de material dopada cun "buits" horma l'aislanti.