Diferencia entre revisiones de «FET»

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El '''transistol d'efeutu campu''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en ingrès) es en realidá una família de [[transistol|transistoris]] que se basan en el [[campu elétricu]] pa controlal la conductividá dun "canal" nun material [[semiconductol]]. Los FET, cumu tos los transistoris, puein plantealse cumu [[Resistència elètrica]]s controlás pol [[voltahi]]. La mayoria delos FET estan hechus usandu las tècnicas de procesamientu de semiconductoris habitualis gastandu l'oblea monocristalina semicondutora cumu la rehión activa, o canal. La rehión activa delos TFTs (''thin-film transistors'', o transistoris de pinicla fina), pol otru lau, és una pinicla o deposición de vapol químicu depositá sobri un substratu (usualmenti [[vidriu]], ya que la prencipal aplicación delos TFTs es las pantallas de cristal líquidu o LCDs).
El '''transistol d'efeutu campu''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en ingrès) es en realidá una família de [[transistol|transistoris]] que se basan en el [[campu elètricu]] pa controlal la conductividá dun "canal" nun material [[semiconductol]]. Los FET, cumu tos los transistoris, puein plantealse cumu [[Resistència elètrica]]s controlás pol [[voltahi]]. La mayoria delos FET estan hechus usandu las tècnicas de procesamientu de semiconductoris habitualis gastandu l'oblea monocristalina semicondutora cumu la rehión activa, o canal. La rehión activa delos TFTs (''thin-film transistors'', o transistoris de pinicla fina), pol otru lau, és una pinicla o deposición de vapol químicu depositá sobri un substratu (usualmenti [[vidriu]], ya que la prencipal aplicación delos TFTs es las pantallas de cristal líquidu o LCDs).





Revisión de 16:00 27 Nov 2008

El transistol d'efeutu campu (Field-Effect Transistor o FET, en ingrès) es en realidá una família de transistoris que se basan en el campu elètricu pa controlal la conductividá dun "canal" nun material semiconductol. Los FET, cumu tos los transistoris, puein plantealse cumu Resistència elètricas controlás pol voltahi. La mayoria delos FET estan hechus usandu las tècnicas de procesamientu de semiconductoris habitualis gastandu l'oblea monocristalina semicondutora cumu la rehión activa, o canal. La rehión activa delos TFTs (thin-film transistors, o transistoris de pinicla fina), pol otru lau, és una pinicla o deposición de vapol químicu depositá sobri un substratu (usualmenti vidriu, ya que la prencipal aplicación delos TFTs es las pantallas de cristal líquidu o LCDs).


Tipus de transistoris d'efectu campu

  • El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa una uñon (normalment SiO2).
  • El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una uñón p-n.
  • El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky
  • En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tamién hucheau HFET (heterostructura FET), la banda de material dopada cun "buits" horma l'aislanti.

Atihus