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El transistol d'efeutu campu (Field-Effect Transistor o FET, en ingrès) es en realiá una família de transistoris que se basan en el campu elétricu pa controlal la conductiviá dun "canal" nun material semicondutol. Los FET, cumu tolos transistoris, puein plantealse cumu Resisténcia elétricas controlás pol vortahi. La huerça los FET están hechus gastandu las ténicas de prohessamientu de semicondutoris abitualis gastandu l'oblea monocristalina semicondutora cumu la rehión ativa, u canal. La rehión ativa de los TFTs (thin-film transistors, u transistoris de pinicla fina), pol otru lau, és una pinicla u deposición de vapol químicu depositá sobri un sustratu (usualmenti vídriu, ya que la prencipal aplicación de los TFTs son las pantallas de cristal líquiu o LCDs).

Tipus de transistoris d'efectu campu

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) gasta una uñon (normalment SiO₂).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) gasta una uñón p-n.
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) gasta una barrera Schottky
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tamién llamau HFET (heterostructura FET), la banda de material dopá con "vacius" holma el aislanti.

Atihus

FET

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-El '''transistol d'efeutu campu''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en ingrès) es en realidá una família de [[transistol|transistoris]] que se basan en el [[campu elètricu]] pa controlal la conductividá dun "canal" nun material [[semiconductol]]. Los FET, cumu tos los transistoris, puein plantealse cumu [[Resistència elètrica]]s controlás pol [[voltahi]]. La mayoria delos FET estan hechus usandu las tècnicas de procesamientu de semiconductoris habitualis gastandu l'oblea monocristalina semicondutora cumu la rehión activa, o canal. La rehión activa delos TFTs (''thin-film transistors'', o transistoris de pinicla fina), pol otru lau, és una pinicla o deposición de vapol químicu depositá sobri un substratu (usualmenti [[vidriu]], ya que la prencipal aplicación delos TFTs es las pantallas de cristal líquidu o LCDs).
+El '''transistol d'efeutu campu''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en ingrès) es en realiá una família de [[transistol|transistoris]] que se basan en el [[campu elétricu]] pa controlal la conductiviá dun "canal" nun material semicondutol. Los FET, cumu tolos transistoris, puein plantealse cumu Resisténcia elétricas controlás pol vortahi. La huerça los FET están hechus gastandu las ténicas de prohessamientu de semicondutoris abitualis gastandu l'oblea monocristalina semicondutora cumu la rehión ativa, u canal. La rehión ativa de los TFTs (''thin-film transistors'', u transistoris de pinicla fina), pol otru lau, és una pinicla u deposición de vapol químicu depositá sobri un sustratu (usualmenti [[vídriu]], ya que la prencipal aplicación de los TFTs son las pantallas de cristal líquiu o LCDs).
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 ==Tipus de transistoris d'efectu campu==
-* El [[MOSFET]] (''Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor'') usa una uñon (normalment SiO<sub>2</sub>).
+* El [[MOSFET]] (''Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor'') gasta una uñon (normalment SiO<sub>2</sub>).
-* El [[JFET]] (''Junction Field-Effect Transistor'') usa una uñón p-n.
+* El [[JFET]] (''Junction Field-Effect Transistor'') gasta una uñón p-n.
-* El [[MESFET]] (''Metal-Semiconductor Field Effect Transistor'') usa una [[barrera Schottky]]
+* El [[MESFET]] (''Metal-Semiconductor Field Effect Transistor'') gasta una [[barrera Schottky]]
-* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), tamién hucheau HFET (''heterostructura FET''), la banda de material dopada cun "vacius" horma l'aislanti.
+* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), tamién llamau HFET (''heterostructura FET''), la banda de material dopá con "vacius" holma el aislanti.