Diferencia entre revisiones de «FET»
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* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), tamién llamau HFET (''heterostructura FET''), la banda de material dopá con "vacius" holma el aislanti. |
* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), tamién llamau HFET (''heterostructura FET''), la banda de material dopá con "vacius" holma el aislanti. |
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Revisión de 19:27 9 Mar 2010
El transistol d'efeutu campu (Field-Effect Transistor o FET, en ingrès) es en realiá una família de transistoris que se basan en el campu elétricu pa controlal la conductiviá dun "canal" nun material semicondutol. Los FET, cumu tolos transistoris, puein plantealse cumu Resisténcia elétricas controlás pol vortahi. La huerça los FET están hechus gastandu las ténicas de prohessamientu de semicondutoris abitualis gastandu l'oblea monocristalina semicondutora cumu la rehión ativa, u canal. La rehión ativa de los TFTs (thin-film transistors, u transistoris de pinicla fina), pol otru lau, és una pinicla u deposición de vapol químicu depositá sobri un sustratu (usualmenti vídriu, ya que la prencipal aplicación de los TFTs son las pantallas de cristal líquiu o LCDs).
Tipus de transistoris d'efectu campu
- El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) gasta una uñon (normalment SiO2).
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor) gasta una uñón p-n.
- El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) gasta una barrera Schottky
- En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tamién llamau HFET (heterostructura FET), la banda de material dopá con "vacius" holma el aislanti.